01
电源适配器
02
智能充电器
03
POE电源
04
工业电源
05
专案定制
网通机顶盒
安防监控
显示器及
笔电
商用
打印机
智能充电器
共享充电
智能音箱
智能家居
工业设备
共享换电
医疗设备
全球布局
研发实力
制造能力
合作伙伴
2006
Founded In
2500+
Employees
300+
R&D Patent
130+
Products Cover Area
Headquarters
Headquarters
Headquarters
Headquarters
India
Cooperative factory
Vietnam
Cooperative factory
Shen zhen
Headquarters Production Base
Hui zhou
Production Base
Brazil
Cooperative factory
您值得信赖的合作伙伴
茂硕科技持续提升产品品质、扩大产能及降低客户成本，近年来积极引进及升级自动化生产制程设备。 MOSO制造拥有完善的生产体系，可靠 质量和持续改进。
Trusted by Our
Customers & Partners
新闻中心
2023年3月10日，为进一步提高公司战略管理水平，增强公司整体创新力和核心竞争优势，推动公司内部管理迈上新台阶，茂硕电源科技股份有限公司（简称：茂硕电源，股票代码：002660）隆重召开公司管理变革项目启动大会。
茂硕电源创始人兼总经理顾永德等领导及安永咨询王波项目总监等顾问出席，茂硕集团与各事业部管理干部代表共四十余人参加了大会。
2023年是全面深入贯彻落实党的二十大精神的开局之年，也是茂硕电源抢抓机遇、加快高质量发展的三年规划攻坚之年。茂硕电源将围绕年度目标及重点工作，以扩大产业规模、提高创新能力、提升产品质量为抓手，全力加速推进公司全球化战略布局。
大会伊始，安永咨询项目总监王波老师对茂硕电源管理变革项目的项目计划、整体工作思路、具体实施方案及项目推进过程的重要配合事项做了详细介绍。
安永是全球咨询、交易、审计及税务综合服务的行业领袖企业，在全球150多个国家和地区共有超过760个办公室，是全球领先的专业咨询服务机构之一；安永深度布局中国咨询服务网络，在全国重点城市已设立33个分支机构，致力于提供从战略到管理到系统实施落地的全链条咨询服务。
茂硕电源总经理顾总为大会致辞中表示，随着济南国资入驻，茂硕电源在国企+民营混合所有制发展新模式下正焕发出新的活力。现阶段，茂硕电源对新模式的探索步入深水区，经营增长进入快车道，为有效支撑公司未来战略发展目标的实现，进一步增强对外部环境的动态适应能力，促进长远可持续发展，茂硕电源迫切需要建立与新时期发展相适应的先进管理体系。此次茂硕电源将借助安永咨询团队来帮助公司实现管理变革。
顾总表示，为更好地推动项目的顺利开展，公司成立了管理变革领导小组，未来六个月，希望双方团队默契合作，高效推动公司的管理变革进程。同时，顾总对参会人员代表提出要求，希望每一位管理干部都能提高站位，从公司发展全局认真地看待此次管理变革，并做到以下四点：
1、转变观念，思想先行。坚信唯一不变的就是“变”， 树立以“变”应“变”的创新思维，勇于改变，拥抱变革。
2、提高认识，统一思想。要深刻认识到该项目实施的重要意义，积极响应、沟通交流，以便于项目组能做出精准的判断和指引。
3、全力以赴，对结果负责。整个项目实施需要公司高层领导和各单位、各部门的通力配合，每一位管理干部要有高度的责任感和使命感。
4、相信专业，主动学习。咨询顾问在行业中有着非常丰富的经验，要不断学习新方法和新技能，积极转化运用到工作当中，充分实现自我职业价值。
顾总在发言的最后对于本次项目的开展寄予了高度期望，并表示：茂硕电源推行管理变革是应对市场变化的需要，是实现公司有效治理的需要，更是实现公司长远发展的需要；我们此次启动管理变革，要通过管理诊断与咨询，最终实现管理机制优化，加强规范运作程序，进一步提升公司综合管理水平和经济效益，推动公司迈上高质量发展新台阶！
最后，顾总宣读了《关于茂硕电源成立管理变革领导小组的决议》并宣布项目正式启动；预祝本次管理变革项目取得预期成效，圆满完成！
03/13/2023
2023年6月7日-10日，为期四天的第十六届（2023）中国国际社会公共安全产品博览会（以下简称“安博会”）在北京首钢会展中心盛大举行。
据了解，安博会自1994年创办以来，在各届领导、嘉宾的关心支持下，已成功举办了十五届，吸引了来自全球40多个国家和地区的1000多家企业前来参展，参观人数超过100余万人次，是中国安防行业的高端品牌展会和具有全球影响力的重要国际安防博览会。
本届安博会以“自主创新、数智融合、赋能安防、服务社会”为主题，共吸引500余家国内外知名企业参展，集中展示视频监控、防盗报警、出入口控制、安检防爆、实体防护、数据应用与安全等安防技术和产品，同时突出无人系统安全、信息安全、人体生物特征识别、突发事件应急救援、物联网、生成式人工智能（AIGC）等技术在公共安全领域的创新应用，推动行业创新与进步，增进国际交流与合作，扩大我国安防行业影响力。
茂硕电源科技股份有限公司（简称：茂硕电源，股票代码：002660）亮相2023安博展，与广大参展商同台竞技，充分展示公司近年来在消费类电子电源领域取得的新突破、新成果，与观展人士共同交流对行业的发展动向和机遇看法，为下一步公司的高质量发展奠定更加坚实的基础。
展会期间，茂硕电源SPS事业部集中展出了公司消费类电子电源板块的电源适配器、PD充电器、工控电源及共享换电电源等重点产品，观展来宾们对这些产品纷纷表示出浓厚的兴趣和关注。本次展会首次公开亮相的A30-180W投影仪电源、N30-24~60W系列 POE安防监控电源新品，同样收获了不少专业客商关注。
其中，尤其受到客户和观展来宾高度关注的是公司展出的安防监控电源及工业电源各系列产品。这些电源产品具有高效、稳定、安全等特点，广泛应用于安防监控、智能家居、工业自动化等领域，备受市场认可和赞誉。
作为全球先进的电源解决方案供应商和国内电源行业的标志性企业，茂硕电源坚持“创新技术，产品为王”发展战略，在消费类电子电源方面，贯彻执行“择高而立”“一米宽、万米深”的设计理念，以大客户战略为指引，专注于深耕行业内VIP客户的产品升级及拓展需求，在产品研发方向，目前已经形成了电源适配器产品线、PD充电器产品线及工控电源产品线三大产品领域，主要覆盖网通、机顶盒、安防、显示器/激光投影、音响设备、商务打印机、电机驱动、通讯、工业设备及共享换电定制电源，POE电源等共计13个系列的细分领域。
产品特点主要体现在设计理念创新、成本优势、客户高度定制化，同时，通过应用“整合数字电源”(Fusion Digital Power)技术，实现了开关电源中模拟组件与数字组件的优化组合，多专利的数字化控制技术及第三代半导体应用等方面，进一步扩展了公司消费类电源的覆盖领域。
展望未来，我国安防领域将不断融合新科技，加快数字化转型，构建数智产业生态，定能补齐产业链、供应链短板，迎来更大的发展空间和更加辉煌的未来。茂硕电源将继续践行“创新技术，产品为王”发展战略，不断推进产品研发和技术创新，为客户提供更加优质、便捷的电源解决方案，加强与业界同仁的科技交流与协作，共同推动我国安防行业技术进步、产业升级与市场繁荣。
08/02/2023
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能地位，并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合。该产品是 750V SiC FET 系列中的首款产品，R DS(on)范围为 5.4 mΩ 至 60 mΩ，将采用 TOLL 封装。这些组件非常适合空间有限的应用，例如可处理 100 A 电流和数百瓦到数千瓦的交流/直流电源的固态继电器和断路器。
通过2021 年 10 月收购 UnitedSiC，Qorvo 构建了基于 SiC 的 FET 产品的高性能产品组合，使公司能够提供涵盖功率转换、运动控制和电路保护等应用的电源解决方案。
具有挑战性的应用
新器件满足了服务器电源对尺寸、效率和成本的需求，其中功率密度已增加到 100 W/in 以上。因为处理器耗电量大，并且在相同尺寸下需要更多功率（每个 AC/DC PSU >3 kW）。同样，固态断路器需要能够满足空间受限应用要求的解决方案，其中主动冷却是一种选择，并且必须具有承受高电流和高电压的能力。
Qorvo 的新型 TOLL 封装器件满足上述要求，因为它们：
减少封装占地面积
更薄的封装，允许更厚的散热器
低功率损耗
表面贴装技术封装，可自动组装到 PCB 子卡上，从而降低成本
每个封装的电阻较低，无需并联多个 FET
高电流承受能力和更长的短路承受时间
具有足够的响应时间的抗噪能力
与传统的 D2-PAK 封装相比，TOLL 具有减小占地面积和高度的优点，如图 1 所示。
低 RDS(on) 表面贴装产品的尺寸 — D2PAK7L 与 TOLL。
图 1：低 R DS(on) 表面贴装产品尺寸 — 采用 TOLL (Qorvo) 第四代 SiC FET 的 D2PAK7L 在 RDS(on) 关键品质因数方面提供了无与伦比的性能
第 4 代 SiC FET在 600/750V 级功率 FET 中的R DS(on)和输出电容的关键品质因数方面提供了无与伦比的性能。此外，该器件采用 TOLL 封装的 R DS(on)为 5.4 mΩ，比GaN 晶体管、SiC MOSFET 和一流的硅 MOSFET 低 4 至 10 倍。SiC FET 的 750V 额定值也比竞争技术高 100 至 150V，从而显着提高了处理电压瞬变的设计余量。
如图 1 所示，与同类 D2PAK 表面贴装替代方案相比，TOLL 封装的占地面积小 30%，高度短 50%（2.3 毫米）。TOLL 封装还具有开尔文源连接，可通过更清晰的栅极波形可靠、快速地切换大电流。
新型 SiC FET 利用 Qorvo 独有的共源共栅电路布置（其中 SiC JFET 与硅 MOSFET 共同封装）来创建一种器件，该器件充分利用宽带隙开关技术带来的效率优势以及硅 MOSFET 更简单的栅极驱动。SiC JFET 提供与 SiC MOSFET 相同的 R DS(on)，但需要更小的芯片面积，并且通常位于器件上。将 SiC JFET 与常关硅 MOSFET 相结合，共源共栅配置保留了 JFET 的优点，同时允许与标准SiC MOSFET兼容。共源共栅是一种常关配置，对客户透明，并具有带栅极、源极和漏极的标准三端器件。
尽管尺寸大幅减小，但新型 FET 从结到外壳的热阻达到了业界的 0.1°C/W。新型 750V/5.4mΩ UJ4SC075005L8S 采用先进的生产工艺（例如烧结芯片贴装），在外壳温度高达 144°C 的情况下具有 120A 的连续额定电流，在高达 0.5ms 的情况下具有 588A 的脉冲电流额定值。
这使得“I 2 t”额定值比相同封装中的硅 MOSFET 高大约 8 倍，从而增强了鲁棒性和瞬态过载抗扰度，同时简化了设计流程。极低的 R DS(on)、高 T j(max) = 175°C 和出色的瞬态热行为相结合，实现了这一点。此外，SiC FET 的过电流比同一封装中 R DS(on)硅 MOSFET 高 2.8 倍 (tp~0.5–1 ms)。图 2 显示了采用 TOLL 封装的硅和 SiC FET 的脉冲电流与脉冲宽度的关系，对此进行了例证。
750V/5.4mΩ SiC FET 的脉冲宽度与（方波）脉冲电流与 TOLL 封装中 RDS(on) 的 600V 硅 MOSFET 的比较。
图 2：750V/5.4mΩ SiC FET 的脉冲宽度与（方波）脉冲电流与采用 TOLL 封装 (Qorvo) 的 RDS(on) 600V 硅 MOSFET 的关系
这些新型超低 R DS(on) TOLL 器件由于传导损耗低、尺寸紧凑、高浪涌耐用性和出色的关断能力，是在没有主动冷却的小型封闭场所中经常面临热挑战的保护应用的选择。它们可以地减少散热并避免并联多个 FET 的需要。
07/21/2023
总部
深圳市南山区西丽茂硕科技园
惠州生产基地:
惠州市博罗县罗阳镇鸿达（国际）工业制造城
越南生产基地:
越南宁平省东范区东范一工业园区C区