第四代碳化硅场效应晶体管应用
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能地位，并扩大了其突破性的第 4 代 ...
新闻中心
在开关稳压器设计中选择正负降压拓扑
用于正电压的高效降压开关稳压器非常常见。然而，尽管经常需要负降压开关稳压器（负电压输入、负电压输出、共地），但它们并不为人们所熟知。尽管它们的设置并不困难，但有关如何构建它们的文献却相当稀少。 本文分析了负降压拓扑的架构和详细操作。它还将从...
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品...